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AUIRF3805STRL	文件：388.08 Kbytes Page：15 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：388.08 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
AUIRF3805STRR	文件：388.08 Kbytes Page：15 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：388.08 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
AUIRF3805S-7P	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车Q101 55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 7p封装 \n优势:\n• 先进加工技术\n• 超低导通电阻\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRF3805S-7TRL	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 55V 160A HEXFET	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
55.0V
ID max：
170.0A
ID (@ TC=100°C) max：
170.0A
ID (@ TC=25°C) max：
240.0A
RDS (on)(@10V) max：
2.6mΩ
QG(typical) ：
130.0nC
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
49.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V
Mounting ：
SMD
Polarity ：
N

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