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AUIRF3805L	文件：764.15 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：764.15 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF3805L	文件：388.08 Kbytes Page：15 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：388.08 Kbytes 页数：15 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AUIRF3805L	文件：388.08 Kbytes Page：15 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：388.08 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
AUIRF3805L-7P	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET V(BR)DSS 55V RDS(on) typ. 2.0mΩ max. 2.6mΩ ID 240A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this des 文件：311.87 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
AUIRF3805L-7P	文件：311.87 Kbytes Page：14 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：311.87 Kbytes 页数：14 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AUIRF3805L-7P	文件：748.76 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：748.76 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF3805L	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车Q101 55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装 \n优势:\n• 先进加工技术\n• 超低导通电阻\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRF3805L-7P	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车 Q101 55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-263CA 7p 封装 \n优势:\n• 先进加工技术\n• 超低导通电阻\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
55.0V
ID max：
150.0A
ID (@ TC=100°C) max：
150.0A
ID (@ TC=25°C) max：
210.0A
RDS (on)(@10V) max：
3.3mΩ
QG(typical) ：
190.0nC
Moisture Sensitivity Level ：
1
Polarity ：
N
Qgd ：
72.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V
Mounting ：
THT

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