N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

文件：265.55 Kbytes 页数：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Package with low thermal resistance • 100 % Rg and UIS tested

文件：236.32 Kbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Package with Low Thermal Resistance • 100 % Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件：461.24 Kbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • New Package with Low Thermal Resistance • 100 % Rg Tested

文件：331.38 Kbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SGT MOSFET

SGT MOSFET , 安海半导体为客户提供了丰富的低压MOSFET产品，采用先进的 SGT MOS技术，极低的 FOM[RDS(on)xQg] 实现了低的导通和开关损耗，便于客户提高产品效率，做到更高的功率密度。优秀的EAS和SOA参数便于客户产 品适应不同的负载应用。-40°C-150°C的工作结温，便于客户产品在不同工作环境温度的应用。

ANHI

安海半导体