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ATP301	文件：359.63 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-Channel Power MOSFET –100V, –28A, 75mΩ, ATPAK Features • ON-resistance RDS(on)=57mΩ (typ.) • 10V drive • Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) • Halogen free compliance 文件：359.63 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP301	文件：277.71 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)=57mΩ (typ.) • 10V drive • Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) • Halogen free compliance 文件：277.71 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ATP301	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Power MOSFET, -100V, -28A, 75mΩ ATP301 is a P-Channel Power MOSFET, -100V, -28A, 75mΩ, ATPAK for General-Purpose Switching Device Applications. • ON-resistance RDS(on)= 57mΩ (typ)\n• Input capacitance Ciss = 4000pF (typ)\n• 10V drive\n• Halogen free compliance;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP301-TL-H	文件：359.63 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-Channel Power MOSFET –100V, –28A, 75mΩ, ATPAK Features • ON-resistance RDS(on)=57mΩ (typ.) • 10V drive • Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) • Halogen free compliance 文件：359.63 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP301_12	文件：465.99 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：465.99 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ATP301-TL-H	文件：465.99 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：465.99 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-100
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3.5
ID Max (A)：
-28
PD Max (W)：
70
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
75
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
73
Ciss Typ (pF)：
4000
Package Type：
DPAK (Single Gauge)/ATPAK

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