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ATP214	文件：375.7 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET N-Channel Power MOSFET 60V, 75A, 8.1mΩ, Single ATPAK Features • ON-resistance RDS(on)1=6.2mΩ(typ.) • 4V drive • Protection diode in • Input Capacitance Ciss=4850pF(typ.) • Halogen free compliance 文件：375.7 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP214	文件：351.03 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=6.2mΩ(typ.) • 4V drive • Protection diode in • Input Capacitance Ciss=4850pF(typ.) • Halogen free compliance 文件：351.03 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ATP214	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，功率 MOSFET，60V，75A，8.1mΩ，单 ATPAK ATP214 is N-Channel Power MOSFET, 60V, 75A, 8.1mΩ, Single ATPAK for General-Purpose Switching Device Application • ON-resistance RDS(on)1 = 6.2mΩ (typ)\n• Input Capacitance Ciss = 4850pF (typ)\n• Protection diode in\n• 4V drive;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP214-TL-H	文件：375.7 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET N-Channel Power MOSFET 60V, 75A, 8.1mΩ, Single ATPAK Features • ON-resistance RDS(on)1=6.2mΩ(typ.) • 4V drive • Protection diode in • Input Capacitance Ciss=4850pF(typ.) • Halogen free compliance 文件：375.7 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP214_12	文件：481.77 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：481.77 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ATP214-TL-H	文件：481.77 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：481.77 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
75
PD Max (W)：
60
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
11.5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
8.1
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
96
Ciss Typ (pF)：
4850
Package Type：
DPAK (Single Gauge)/ATPAK

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