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ATP108	文件：345.27 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-Channel Power MOSFET –40V, –70A, 10.4mΩ, Single ATPAK Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in 文件：345.27 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP108	文件：263.48 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in 文件：263.48 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ATP108	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Power MOSFET, -40V, -70A, 10.4mΩ ATP108 is P-Channel Power MOSFET, -40V, -70A, 10.4mΩ, Single ATPAK for General-Purpose Switching Device Application. • Low ON-resistance\n• Large current\n• Slim package\n• 4.5V drive\n• Protection diode in;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP108-TL-H	文件：345.27 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-Channel Power MOSFET –40V, –70A, 10.4mΩ, Single ATPAK Features • Low ON-resistance • Slim package • Halogen free compliance • Large current • 4.5V drive • Protection diode in 文件：345.27 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP108_12	文件：451.68 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：451.68 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ATP108-TL-H	文件：451.68 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：451.68 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-40
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
-70
PD Max (W)：
60
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
16.5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
10.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
79.5
Ciss Typ (pF)：
3850
Package Type：
DPAK (Single Gauge)/ATPAK

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