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ATP101	文件：261.579 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features •Low ON-resistance •Slim package • Halogen free compliance •Large current •4.5V drive • Protection diode in 文件：261.579 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ATP101	文件：343.51 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：343.51 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP101	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Power MOSFET, -30V, -25A, 30mΩ ATP101 is P-Channel Power MOSFET, -30V, -25A, 30mΩ, Single ATPAK for General-Purpose Switching Device Application. • Low ON-resistance\n• Large current\n• Slim package\n• 4.5V drive\n• Halogen free compliance\n• Protection diode in;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP101_12	文件：449.23 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：449.23 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ATP101-TL-H	文件：343.51 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：343.51 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ATP101-TL-H	文件：449.23 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：449.23 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ATP101-V-TL-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：ATPAK（2 引线 + 接片）；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
-25
PD Max (W)：
30
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
51
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
30
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
18.5
Ciss Typ (pF)：
875
Package Type：
DPAK (Single Gauge)/ATPAK

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