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BC808A	文件：39.35 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconAFTransistors Features ●ForgeneralAFapplications. ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC808F	文件：82.43 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(HighcurrentapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Highcurrentapplication •Switchingapplication Features •SuitableforAF-Driverstageandlowpoweroutputstages •ComplementarypairwithBC818F	AUK AUK corp	AUK
BC808F	文件：274.41 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentapplication Descriptions •Highcurrentapplication •Switchingapplication Features •SuitableforAF-Driverstageand lowpoweroutputstages •ComplementarypairwithBC818F	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC808F	文件：274.41 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC808W	文件：47.16 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC817W,BC818W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC808W	文件：174.71 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation225mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandr	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC808W	文件：263.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurposeandswitchingapplications Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups–16,-25,-40accordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BD808	文件：104.97 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor ...designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=30(Min)@IC=2.0Adc •BD808,810arecomplementarywithBD807,890	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD808	文件：246.98 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=30@IC=-2A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-60V(Min) •ComplementtoTypeBD807 APPLICATIONS •Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD808	文件：49.32 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor ...designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=30(Min)@IC=2.0Adc •BD808,810arecomplementarywithBD807,890	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	ATMEGA808-MU	Microchip Technology	20+	VQFN-32	29860	Microchip微控制器MCU-可开原型号增税票	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	ATMEGA808-XF	MICROCHIP/微芯	23+	28-SSOP	35200	只做原装主打品牌QQ询价有询必回	询价
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