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BC808F	文件：274.41 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
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BD808	文件：49.32 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor ...designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=30(Min)@IC=2.0Adc •BD808,810arecomplementarywithBD807,890	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD808	文件：127.53 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=30@lc=-2A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEo(sus)=-60V(Min) •ComplementtoTypeBD807 APPLICATIONS •Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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BR808	文件：17.96 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:8.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Idealforprintedcircuitboard *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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