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BC808F	文件：274.41 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
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BC808W	文件：174.71 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation225mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandr	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC808W	文件：263.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurposeandswitchingapplications Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups–16,-25,-40accordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BD808	文件：104.97 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor ...designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=30(Min)@IC=2.0Adc •BD808,810arecomplementarywithBD807,890	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD808	文件：246.98 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=30@IC=-2A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-60V(Min) •ComplementtoTypeBD807 APPLICATIONS •Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD808	文件：49.32 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor ...designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=30(Min)@IC=2.0Adc •BD808,810arecomplementarywithBD807,890	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD808	文件：127.53 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=30@lc=-2A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEo(sus)=-60V(Min) •ComplementtoTypeBD807 APPLICATIONS •Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BL808	文件：1.18922 Mbytes Page：93 Pages	2.4GHzRFtransceiver •Wireless(Tier-1RFPerformance) –2.4GHzRFtransceiver –Wi-Fi802.11b/g/n –Bluetooth®5.xDual-mode(BT+BLE) –Zigbee/IEEE802.15.4 –Wi-Fi/Bluetooth/ZigbeeCoexistence –Integratedbalun,PA/LNA –SupportExternalPA/LNA •Microcontroller –Multi-CoreRISC-VCPUs(MaxFreq480M	BOUFFALOALBBouffalo Lab Intelligent Technology Co., Ltd. 博流智能博流智能科技（南京）有限公司	BOUFFALOALB
BR808	文件：17.96 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:8.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Idealforprintedcircuitboard *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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