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AVFU644NIL	文件：120.44 Kbytes Page：5 Pages	ONEOFTHESMALLESTSNAP-ACTIONSWITCHES	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
BB644	文件：433.29 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiodes SiliconVariableCapacitanceDiodes •ForVHFTV-tuners •Highcapacitanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •Excellentuniformityandmatchingdueto in-linematchingassemblyprocedure •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BB644	文件：25.47 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(ForVHFTV-tunersHighcapacitanceratioLowseriesinductance) SiliconVariableCapacitanceDiode Preliminarydata •ForVHFTV-tuners •Highcapacitanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •ExtremelysmallplasticSMDpackage •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BB644	文件：87.89 Kbytes Page：8 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiodes	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BD644	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD644	文件：108.11 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-45V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=-3A •LowSaturationVoltage •ComplementtoTypeBD643 APPLICATIONS •DesignedforuseascomplementaryAFpush-pulloutputstageapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD644	文件：369.32 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD644	文件：111.79 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD644	文件：124.76 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-45V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=-3A •LowSaturationVoltage •ComplementtoTypeBD643 APPLICATIONS •DesignedforuseascomplementaryAFpush-pulloutputstageapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BLF644P	文件：951.92 Kbytes Page：12 Pages	BroadbandpowerLDMOStransistor Generaldescription A70WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitter,communicationsand industrialapplications.ThetransistorissuitableforthefrequencyrangeHFto1300MHz. Theexcellentruggednessandbroadbandperformanceofthisdevicemakesitidealfor digitalapplicatio	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon

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详细参数

型号：
ATMEGA644A-AU
功能描述：
8位微控制器 -MCU 20 MHz Ind Temp
RoHS：
否
制造商：
Silicon Labs
核心：
8051
处理器系列：
C8051F39x
数据总线宽度：
8 bit
最大时钟频率：
50 MHz
程序存储器大小：
16 KB 数据 RAM
大小：
1 KB 片上
ADC：
Yes
工作电源电压：
1.8 V to 3.6 V
工作温度范围：
- 40 C to + 105 C
封装/箱体：
QFN-20
安装风格：
SMD/SMT

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