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BUL128D	文件：66.76 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Highvoltage,highspeed ·Integratedantiparallelcollector-emitterdiode APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUL128DB	文件：193.57 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector–EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=400V(Min.) •LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=0.7V(Max)@IC=0.5A •VeryHighSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedforelectronicballastsforfluorescentlighting.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUL128D-B	文件：228.24 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BUL128D-B	文件：72.78 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BUL128FP	文件：78.76 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BULB128	文件：216.04 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMulti-EpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BULB128D	文件：210.59 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BULK128	文件：83.21 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA.Thedeviceisdesign	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BULK128	文件：219.98 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BULK128	文件：225.08 Kbytes Page：11 Pages	Highvoltagefast-switchingNPNpowertransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BULK128D	文件：83.21 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA.Thedeviceisdesign	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BULK128D-B	文件：216.86 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA.Thedeviceisdesign	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
CDBH128	文件：137.43 Kbytes Page：2 Pages	SMDPowerInductor	SUMIDA Sumida America Components Inc.	SUMIDA
CDBM128	文件：235.84 Kbytes Page：1 Pages	POWERINDUCTORS	SUMIDA Sumida America Components Inc.	SUMIDA
CDRR128	文件：96.71 Kbytes Page：5 Pages	SMDPowerInductor	SUMIDA Sumida America Components Inc.	SUMIDA
CEE128	文件：127.89 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPowerTransformerType:CEE>Series>	SUMIDA Sumida America Components Inc.	SUMIDA
CEI-128	文件：115.45 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPowerTransformerType:CEI>Series>	SUMIDA Sumida America Components Inc.	SUMIDA
CEI-128	文件：62.7 Kbytes Page：1 Pages	CEI-128,CEE156	SUMIDA Sumida America Components Inc.	SUMIDA
CFC-128	文件：123.44 Kbytes Page：1 Pages	100IDEstandardcompatible,CompactFlashSpecificationstandard	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
CMD128	文件：118.31 Kbytes Page：1 Pages	5.7Diplexer	APITECH API Technologies Corp	APITECH

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详细参数

型号：
ATMEGA128A-AUR
功能描述：
8位微控制器 -MCU AVR 128K FLSH-16MHz IND TEMP 5V
RoHS：
否
制造商：
Silicon Labs
核心：
8051
处理器系列：
C8051F39x
数据总线宽度：
8 bit
最大时钟频率：
50 MHz
程序存储器大小：
16 KB 数据 RAM
大小：
1 KB 片上
ADC：
Yes
工作电源电压：
1.8 V to 3.6 V
工作温度范围：
- 40 C to + 105 C
封装/箱体：
QFN-20
安装风格：
SMD/SMT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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