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ATF22V10B-15SI	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High- Performance EE PLD Description TheAtmel®ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
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ATF22V10B-15JC	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel®ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
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ATF22V10B-15JI	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel®ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATF22V10B-15PC	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel®ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
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ATF22V10B-15PI	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel®ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
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ATF22V10B-15SC	文件：537.18 Kbytes Page：15 Pages	HighperformanceEEPLD	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATF22V10B-15SC	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel®ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATF22V10B-15XC	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel®ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
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ATF22V10B-15XI	文件：537.18 Kbytes Page：15 Pages	HighperformanceEEPLD	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATF22V10B-15XI	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel®ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
GAL22V10B-15LJ	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
GAL22V10B-15LJI	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
GAL22V10B-15LP	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
GAL22V10B-15QJ	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice

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详细参数

型号：
ATF22V10B-15SI
功能描述：
SPLD - 简单可编程逻辑器件 500 Gate
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
逻辑系列：
TICPAL22V10Z
大电池数量：
10
最大工作频率：
66 MHz
延迟时间：
25 ns
工作电源电压：
4.75 V to 5.25 V
电源电流：
100 uA
最大工作温度：
+ 75 C
最小工作温度：
0 C
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
DIP-24

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更多ATF22V10B-15SI供应商更新时间2024-4-30 13:54:00

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