ATF-501P8中文资料单电压 E-pHEMLPCC 下单电压 E-pHEMT 低噪声 45.5 dBm OIP3数据手册Broadcom规格书

描述 Description

ATF-501P8 是一款以 8-引线 LPCC (JEDEC DFP-N) 包装封装的单电压高线性、低噪声 E-pHEMT。该设备展现出 50MHz 到 3.9 GHz 频率范围下卓越的射频性能、功率效率和产品一致性

特性 Features

·在 2GHz 时，ATF-501P8 实现高 OIP3 多达 45.5 dBm、P1dB 达 29dBm 以及增益达 15dB，仅需要 4.5V/280mA 的直流偏置。
·具备良好散热能力的封装尺寸仅为 2 毫米 x 2 毫米x 0.75 毫米。其背面的金属化处理可以体现卓越的散热效果，并为回焊工艺提供视觉导引。该设备在 85°C 安装温度下可达到 300 多年的平均无故障时间 (MTTF)。

简介

ATF-501P8属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的ATF-501P8晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。