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ATF-21170

0.5-6 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET

Description TheATF-21170isahighperformancegalliumarsenideSchottkybarrier-gatefieldeffecttransistorhousedinahermetic,highreliabilitypackage.Thisdeviceisdesignedforuseinlownoiseormediumpoweramplifierapplicationsinthe0.5-6GHzfrequencyrange. ThisGaAsFETdevic

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷伦科技安捷伦科技有限公司

HP

BU21170MUV

CapacitiveSwitchControllerIC

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

M21170

3.2Gbps288x288CrosspointSwitch

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

MA-COM

ATF22LV10CQZ-30XU

MICROCHIP/微芯
TSSOP-24

MICROCHIP/微芯

上传:深圳市明嘉莱科技有限公司

MICROCHIP/微芯

ATF22V10C-15PU

ATMEL
DIP-24

AtmelAtmel Corporation

爱特梅尔爱特梅尔公司

上传:深圳市毅创腾电子科技有限公司

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更多ATF-21170供应商 更新时间2025-8-1 10:01:00