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TA8123AN	文件：524.27 Kbytes Page：17 Pages	3VAV/FM1CHIPTUNERIC	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TP8123	文件：519.72 Kbytes Page：7 Pages	SwitchdimminghighpowerfactorlinearconstantcurrentLEDdriver	TPOWERShenzhen Tianyuan Semiconductor Co., Ltd. 天源中芯深圳天源中芯半导体有限公司	TPOWER
TPC8123	文件：991.25 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch •NotebookAdaptorSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8123	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8123	文件：279.38 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS?? LithiumIonBatteryApplications PowerManagementSwitchApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=7.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=36S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •En	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UTC8123	文件：96.26 Kbytes Page：5 Pages	LINERINTERFRATEDCIRCUIT	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
VOT8123AB	文件：184.73 Kbytes Page：11 Pages	Optocoupler,PhototriacOutput,Non-ZeroCrossing,HighdV/dt,LowInputCurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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