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AT50P06S-Q1

P沟道场效应管

Anbonsemi

安邦

BR50P06

P-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件:926.55 Kbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

FIR50P06PG

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:4.05386 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FQD50P06

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件:297.56 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • AEC-Q101 Qualified:

    Y

  • Channel Type:

    P

  • ESD:

    N

  • VDS_Max (V):

    -60

  • ID_Max (A):

    -50

  • VGS_Max (V):

    ±20

  • VGS(th)_Max (V):

    -3.5

  • RDS(ON)_Max @ VGS = 10V (mΩ):

    28

  • Ciss_Typ (pF):

    6460

  • Tj (℃):

    150

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更多AT50P06S供应商 更新时间2026-2-9 15:05:00