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AT24003-H3B-4F	文件：167.15 Kbytes Page：1 Pages	SPECIFICATIONS DDR II Connector Mechanical Contact Retention Force: 0.75Lbs (0.34kgf) min. per Contact Durability: 25 Cycles Dram Board Insertion Force: 3 oz max. per Contact Electrical Voltage Raging: 250V AC Current Rating: 1.0A max., 30℃ max., in Temperature Rise Insulation Resistance: 1000MW min. initial Dielectric 文件：167.15 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AT24003-H3B-4F	文件：300 bytes Page：1 Pages	DDR II Connector	Foxconn 富士康	Foxconn
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AT24C01C-SSHM-T	文件：0 bytes Page：0 Pages	08L SOIC	Microchip 微芯科技上传：深圳市创新迹电子有限公司	Microchip
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更多AT24003-H3B-4F供应商更新时间2025-12-13 10:31:00