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BRUS105	文件：61.25 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY4to6AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISPCBOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
BSH105	文件：145.63 Kbytes Page：7 Pages	N-channelenhancementmodeMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehasverylowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. TheBSH105issuppliedintheSOT23subminiatu	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BSH105	文件：40.22 Kbytes Page：2 Pages	N-channelenhancementmode GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehasverylowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. TheBSH105issuppliedintheSOT23subminiatu	TYSEMITY Semiconductor Co., Ltd 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
BSH105	文件：1.54676 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=20V ●ID=1.05A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BSH105	文件：96.17 Kbytes Page：2 Pages	N-channelenhancementmode GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehasverylowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. TheBSH105issuppliedintheSOT23subminiatu	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
BSH105	文件：229.87 Kbytes Page：8 Pages	N-channelenhancementmodeMOStransistor FEATURES •Verylowthresholdvoltage •Fastswitching •Logiclevelcompatible •Subminiaturesurfacemount package GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmode, logiclevel,field-effectpower transistor.Thisdevicehasverylow thresholdvoltageandextremely fastswitchingmak	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSW-105-XX-X	文件：220.7 Kbytes Page：1 Pages	BOTTOMMOUNTSTRIPS Bottommountsocket stripsaccept.025“SQ terminals:. Idealforsolderingand pluggingfromthesame sideoftheboard Forlowprofile connectionsandhigh temperaturesoldering,.	SamtecSamtec, Inc 美国申泰	Samtec
BT105	文件：36.59 Kbytes Page：2 Pages	DC/DCConverters	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BT105S	文件：347.47 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BU105	文件：268.02 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighVoltage-VCER=1500V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=5.0V(Max.)@IC=2.5A APPLICATIONS ·DesignedforuseinlineoperatedB&W(19and20inch110℃deflectioncircuits)orcolor(11and14inch90℃deflectioncircuitsTVreceivers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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