AT-64023中文资料Up to 4 GHz Linear Power Silicon Bipolar Transistor数据手册Broadcom规格书
| 厂商型号 |
AT-64023 |
| 参数属性 | AT-64023 封装/外壳为4-SMD（230 密耳 BeO）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0 |
| 功能描述 | Up to 4 GHz Linear Power Silicon Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | 4-SMD（230 密耳 BeO） |
| 制造商 | Broadcom Broadcom Corporation. |
| 中文名称 | 博通 博通半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-1 11:16:00 |
| 人工找货 | AT-64023价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
AT-64023规格书详情
简介
AT-64023属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的AT-64023晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
AT-64023
- 制造商：
Broadcom Limited
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
- 功率 - 最大值：
3W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 110mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
4-SMD（230 密耳 BeO）
- 供应商器件封装：
230 mil Be0
- 描述：
RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0
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