AT-64023中文资料安捷伦科技数据手册PDF规格书
| 厂商型号 |
AT-64023 |
| 参数属性 | AT-64023 封装/外壳为4-SMD（230 密耳 BeO）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0 |
| 功能描述 | Up to 4 GHz Linear Power Silicon Bipolar Transistor |
| 文件大小 |
45.89 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Agilent(Hewlett-Packard) |
| 企业简称 |
HP【安捷伦科技】 |
| 中文名称 | 安捷伦科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-22 16:00:00 |
AT-64023规格书详情
Description
The AT-64023 is a high performance NPN silicon bipolar transistor housed in a hermetic BeO flange package for good thermal characteristics. This device is designed for use in medium power, wide band
amplifier and oscillator applications operating over VHF, UHF and microwave frequencies.
Features
• High Output Power:
27.5 dBm Typical P1 dB at 2.0␣ GHz
26.5 dBm Typical P1 dB at 4.0␣ GHz
• High Gain at 1 dB Compression:
12.5 dB Typical G1 dBat 2.0␣ GHz
9.5 dB Typical G1 dBat 4.0␣ GHz
• 35 Total Efficiency
• Emitter Ballast Resistors
• Hermetic, Metal/Beryllia Stripline Package
产品属性
- 产品编号：
AT-64023
- 制造商：
Broadcom Limited
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
- 功率 - 最大值：
3W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 110mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
4-SMD（230 密耳 BeO）
- 供应商器件封装：
230 mil Be0
- 描述：
RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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