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AT-42085G	文件：169.7 Kbytes Page：5 Pages	Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor Description Avago’s AT-42085 is a general purpose NPN bipolar transistor that oﬀers excellent high frequency performance. The AT-42085 is housed in a low cost .085 diameter plastic package.The 4 micron emitter-to-emitter pitch enables this transistor to be used in many diﬀerent functions. The 2 文件：169.7 Kbytes 页数：5 Pages	AVAGO 安华高	AVAGO
AT-42085G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD（85 塑料）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ 85 PLASTIC	BOARDCOM 博通	BOARDCOM
AT42085	文件：53.63 Kbytes Page：5 Pages	Up to 6 GHz Medium Power Up to 6 GHz Medium Power Description Hewlett-Packard’s AT-42085 is a general purpose NPN bipolar transistor that offers excellent high frequency performance. The AT-42085 is housed in a low cost .085 diameter plastic package. The 4 micron emitter-to-emitter pitch enables this transistor to be used in many different fun 文件：53.63 Kbytes 页数：5 Pages	HP 安捷伦	HP
AT-42085	文件：169.7 Kbytes Page：5 Pages	Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor Description Avago’s AT-42085 is a general purpose NPN bipolar transistor that oﬀers excellent high frequency performance. The AT-42085 is housed in a low cost .085 diameter plastic package.The 4 micron emitter-to-emitter pitch enables this transistor to be used in many diﬀerent functions. The 2 文件：169.7 Kbytes 页数：5 Pages	AVAGO 安华高	AVAGO
AT-42085	文件：53.63 Kbytes Page：5 Pages	Up to 6 GHz Medium Power Up to 6 GHz Medium Power Description Hewlett-Packard’s AT-42085 is a general purpose NPN bipolar transistor that offers excellent high frequency performance. The AT-42085 is housed in a low cost .085 diameter plastic package. The 4 micron emitter-to-emitter pitch enables this transistor to be used in many different fun 文件：53.63 Kbytes 页数：5 Pages	HP 安捷伦	HP

产品属性

产品编号：
AT-42085G
制造商：
Broadcom Limited
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
增益：
9.5dB ~ 13.5dB
功率 - 最大值：
500mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 35mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-SMD（85 塑料）
供应商器件封装：
85 塑料
描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 85 PLASTIC

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