AT-41535中文资料Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor数据手册Broadcom规格书
| 厂商型号 |
AT-41535 |
| 参数属性 | AT-41535 封装/外壳为4-SMD（35 micro-X）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X |
| 功能描述 | Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | 4-SMD（35 micro-X） |
| 制造商 | Broadcom Broadcom Corporation. |
| 中文名称 | 博通 博通半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 20:00:00 |
| 人工找货 | AT-41535价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
AT-41535规格书详情
描述 Description
Description/
特性 Features
• Low Noise Figure :
- 1.7 dB typical at 2.0 GHz
- 3.0 dB typical at 4.0 GHz
• High Associated Gain
- 14.0 dB typical at 2.0GHz
- 10.0 dB typical at 4.0 GHz
• High Gain-Bandwidth Product
- 8.0 GHz typical fT
• Cost Effective Ceramic Micro-strip Package
简介
AT-41535属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的AT-41535晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
AT-41535G
- 制造商：
Broadcom Limited
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
8GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
- 增益：
10dB ~ 18dB
- 功率 - 最大值：
500mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 10mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
60mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
4-SMD（35 micro-X）
- 供应商器件封装：
35 micro-X
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AVAGO/安华高 |
24+ |
NA/ |
1200 |
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AVAGO |
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SMT85 |
1200 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
询价 | ||
AGILENT |
23+ |
SMT86 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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ATMEL |
25+ |
DIP |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
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AVAGO/安华高 |
21+ |
SMT85 |
120000 |
长期代理优势供应 |
询价 | ||
Agilent |
24+ |
SO-36 |
350 |
询价 | |||
AGILENT |
22+ |
SMT-35 |
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Agilent |
23+ |
SMT-35 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Broadcom Limited |
2022+ |
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Broadcom Limited |
24+ |
4-SMD(35 micro-X) |
6000 |
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询价 |
