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BD233	文件：100.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD233	文件：130.06 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD233	文件：1.17188 Mbytes Page：2 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BD233	文件：492.4 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD233	文件：902.53 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features ComplementarypairwithBD234. Applications Mediumpowerlinearandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD233	文件：283.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •PowerDissipation:PCM=1.25W,Ta=25°C •CollectorCurrent:IC=2A •ComplementtoBD234/236/238respectively •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Epoxy	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BD233	文件：285.3 Kbytes Page：3 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BD233	文件：125.97 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BD233	文件：102.42 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD233	文件：193.51 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min)@lc=0.15A •ComplementtoTypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Designedforusein5-10wattaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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产品属性

产品编号：
AT-233-PIN
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 衰减器
包装：
散装
衰减值：
2dB ~ 30dB
封装/外壳：
CR-12
描述：
ATTENUATOR,RF,DIGITAL,

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