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ASU65R1K4E

SJ MOSFET

SJ MOSFT, 安海半导体推出新一代SJ MOSFET系列,采用先进的多层外延技术,优化了元胞结构,具有电流能力强,短路能力好,雪崩特性强,体内二极管反向恢复特性优,dv/dt能力优,EMI特性好,抗浪涌能力强的等特点和优点。

ANHI

安海半导体

IIPD65R1K4CFD

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IPD65R1K4CFD

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IPD65R1K4CFD

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.15453 Mbytes 页数:15 Pages

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更多ASU65R1K4E供应商 更新时间2026-4-17 11:08:00