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ASR65R046EFD

SJ MOSFET

SJ MOSFT, 安海半导体推出新一代SJ MOSFET系列,采用先进的多层外延技术,优化了元胞结构,具有电流能力强,短路能力好,雪崩特性强,体内二极管反向恢复特性优,dv/dt能力优,EMI特性好,抗浪涌能力强的等特点和优点。

ANHI

安海半导体

ASR6601CB

QFN48

ASR/翱捷

ASRPM802

N/A

ASR

ASSR-1611-301E

SOP6

AVAGO/安华高

上传:深圳市纳艾斯科技有限公司

AVAGO/安华高

ASSR-401C-503E

NA

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更多ASR65R046EFD供应商 更新时间2025-11-15 16:41:00