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BF1012S	文件：43.75 Kbytes Page：4 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage5VIntegratedstabilizedbiasnetwork) SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Integratedstabilizedbiasnetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF1012W	文件：359.34 Kbytes Page：3 Pages	SILICONN-CHANNELMOSFETTETRODE(Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz) SILICONN-CHANNELMOSFETTETRODE •Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage12V •IntegratedbiasNetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFB1012HH	文件：362.9 Kbytes Page：7 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
BFB1012HH-A	文件：586.97 Kbytes Page：7 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
BFB1012L	文件：972.87 Kbytes Page：8 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
BFB1012L-A	文件：583.73 Kbytes Page：7 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
BFB1012M	文件：609.39 Kbytes Page：7 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
BFB1012M-A	文件：410.82 Kbytes Page：7 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
BGM1012	文件：87.98 Kbytes Page：12 Pages	MMICwidebandamplifier	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGM1012	文件：403.08 Kbytes Page：13 Pages	MMICwidebandamplifier FEATURES Internallymatchedto50 Verywidefrequencyrange(4GHzat3dBbandwidth) Veryflat20dBgain(DCto2.9GHzat1dBflatness) 10dBmsaturatedoutputpowerat1GHz Highlinearity(18dBmIP3(out)at1GHz) Lowcurrent(14.6mA) Unconditionallystable. APPLICA	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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