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ASI3000	文件：18.22 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI3000isDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto3500MHz. FEATURES: •PG=7dBmin.at0.5W/3,000MHz •HermeticMicrostripPackage •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
ASI3001	文件：18.19 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI3001isDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto3500MHz. FEATURES: •PG=7dBmin.at1.0W/3,000MHz •HermeticMicrostripPackage •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
ASI3003	文件：18.17 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI3003isDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto3500MHz. FEATURES: •PG=5dBmin.at3W/3,000MHz •HermeticMicrostripPackage •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
ASI3005	文件：18.31 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheisDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto3500MHz. FEATURES: •PG=4.5dBmin.at5W/3,000MHz •HermeticMicrostripPackage •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
ASI30217	文件：17.08 Kbytes Page：1 Pages	MICROSTRIP/STRIPLINE PIN DIODE SWITCH DESCRIPTION: TheASI5082-3170isaSiliconPINDiodeModuleDesignedforReflectiveAttenuatorandSwitchingApplicationsfrom1to18GHz. FEATURESINCLUDE: •DirectReplacementforHP5082-3170 •Isolation=20dBmin.at10GHz •HermeticPackage	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
ASI30264	文件：20.51 Kbytes Page：1 Pages	BATCH MATCHED BEAM LEAD SCHOTTKY DIODE DESCRIPTION: TheHSCH5315isaMediumBarrierBeamLeadSchottkyDiodeDesignedforX-BandMixerApplicationsthatisBatchMatchedforNFandZIF.	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
ASI30285	文件：26.68 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER MIXER DIODE DESCRIPTION: TheMA40192isaSiliconSchottkyBarrierDiodeDesignedforStarvedLOMixerApplicationsupto10GHz. FEATURES: •ReplacementforMA/COMMA40192 •Availableasmatchedpairsandmatchedquads •HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
ASI30291	文件：13.2 Kbytes Page：1 Pages	SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE DESCRIPTION: TheASIDKV6520-12isanSiliconHyperabruptVaractorDiodeDesignedforVHF/UHFFiltersandOscillatorsRequiringOctaveTuning. FEATURESINCLUDE: •CT4=18pFMin. •CT4/CT20=5.8Typical •HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
ASI30300	文件：19.5 Kbytes Page：2 Pages	SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE DESCRIPTION: TheDKV6534BisdesignedforUHFFilterandOscillatorApplicationsthatRequireOctavetuning. FEATURES: •TR=5.8TypicalatVR=3/20V •Q=300Typicalat3V/50MHz •HermeticDO-7Package	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
ASI30304	文件：16.129 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheMSC3005isDesignedforClassCAmplifierApplicationsupto3GHz. FEATURES: •POUT=5.0WTyp.at3GHz •CommonBaseConfiguration •Omnigold™MetellizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
ASI3486	文件：58.08 Kbytes Page：2 Pages	ZERO BIAS SCHOTTKY DIODE DESCRIPTION: TheASI3486isaSiliconSchottkyBarrierDiodeDesignedforHighSensitivityZeroBiasDetectorApplicationsupto10GHz. FEATURESINCLUDE: •ReplacementforHSCH3486andMA4E928series •-56dBmTSSTypical@10GHz •HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
ASI301Q	文件：104.97 Kbytes Page：1 Pages	Sales Outline Drawing	MSPIMallory Sonalert Products Inc 马洛里马洛里索纳特产品有限公司	MSPI
ASI301TRQ	文件：183.62 Kbytes Page：1 Pages	Sales Outline Drawing	MSPIMallory Sonalert Products Inc 马洛里马洛里索纳特产品有限公司	MSPI
ASI301Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：音频设备，产品警报器，蜂鸣器，警笛描述：BUZZER MAGNETIC 5V 12.6X12.6 SMD	MALLORY Mallory Sonalert Products Inc.	MALLORY
ASI301TRQ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：音频设备，产品警报器，蜂鸣器，警笛描述：BUZZER MAGNETIC 5V 12.6X12.6 SMD	MALLORY Mallory Sonalert Products Inc.	MALLORY

详细参数

型号：
ASI3
制造商：
ASI
制造商全称：
ASI
功能描述：
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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