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ASDM60N80KQ-R	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	ASDsemi 安森德	ASDsemi
DAM60N80D	文件：243.52 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：243.52 Kbytes 页数：4 Pages	DACO 罡境电子	DACO
IXFB60N80P	文件：350.89 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 140mΩ(Max) ·100 Avalanche Tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High current , high speed s 文件：350.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFB60N80P	文件：172.49 Kbytes Page：4 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET 文件：172.49 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

漏源电压(Vdss)：
60V
连续漏极电流(Id)：
80A
功率(Pd)：
108W
阈值电压(Vgs(th)@Id)：
3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：
90nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：
3.36nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)：
209pF@30V
工作温度：
-55℃~+175℃@(Tj)

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更多ASDM60N80KQ-R供应商更新时间2025-11-19 8:50:00

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