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ASDM30P30BE	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-MOS	ASDsemi 安森德	ASDsemi
ASDM30P30BE-R	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	ASDsemi 安森德	ASDsemi
DAM30P30H	文件：255.74 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：255.74 Kbytes 页数：4 Pages	DACO 罡境电子	DACO
DAME30P30H	文件：254.36 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：254.36 Kbytes 页数：4 Pages	DACO 罡境电子	DACO
NCE30P30G	文件：363.33 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P30G uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS = -30V,ID = -30A RDS(ON) 文件：363.33 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

技术参数

VDS(V)：
-30
VGS (V)：
±20
Vth (V)：
-2.5
RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=10V：
10
RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=4.5V：
14
ID (A) Tc=25℃：
-30
Ciss (pF)：
1757
Qg (nC)：
30
Package：
PDFN3*3-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ASDM30P30BE供应商更新时间2026-1-24 10:01:00

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