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DD12-12GWB	文件：74.52 Kbytes Page：3 Pages	12SEGMENTBARGRAPHARRAY Description TheGreensourcecolordevicesaremadewithGalliumPhosphideGreenLightEmittingDiode. Features ●SUITABLEFORLEVELINDICATORS. ●LOWCURRENTOPERATION. ●WIDEVIEWINGANGLE. ●MECHANICALLYRUGGED. ●DIFFERENTCOLORSINONEUNITAVAILABLE. ●STANDARD:BLACKFACE,WHIT	KingbrightKingbright Company LLC 今台电子今台电子股份有限公司	Kingbright
DSEI12-12A	文件：225.36 Kbytes Page：3 Pages	FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-220AC •Planarpassivatedchips •Veryshortrecoverytime •Extremelylowswitchinglosses •LowIRM-values •Softrecoverybehaviour •EpoxymeetsUL94V-0 Applications •Antiparalleldiodeforhighfrequencyswitchingdevices •Anti	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEP12-12A	文件：35.55 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFREDEpitaxialDiodewithsoftrecovery Features ●Internationalstandardpackage ●Planarpassivatedchips ●Veryshortrecoverytime ●Extremelylowswitchinglosses ●LowIRM-values ●Softrecoverybehaviour ●EpoxymeetsUL94V-0 Applications ●Antiparalleldiodeforhighfrequencyswitchingdevices ●Antisaturationdiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEP12-12A	文件：266.87 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier FEATURES •WithTO-220packaging •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Highsurgecapability •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DSEP12-12A	文件：541.92 Kbytes Page：3 Pages	15Ampere,1200VoltSwitchModeSingleFastRecoveryEpitaxialDiode GENERALDESCRIPTION DSEP12-12AusingthelastestFREDFABprocess(planarpassivationchip)withultrafastandsoftrecoverycharacteristic. PRODUCTFEATURE •UltrafastRecoveryTime •SoftRecoveryCharacteristics •LowRecoveryLoss •LowForwardVoltage •HighSurgeCurrentCapability •	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
DSEP12-12AZ	文件：258.75 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier FEATURES •WithTO-263packaging •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Highsurgecapability •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Sw	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DSEP12-12B	文件：158.45 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFREDEpitaxialDiodewithsoftrecovery Features •Internationalstandardpackage •Planarpassivatedchips •Veryshortrecoverytime •Extremelylowswitchinglosses •LowIRM-values •Softrecoverybehaviour •EpoxymeetsUL94V-0 Applications •Antiparalleldiodeforhighfrequency switchingdevices •Antisaturationdi	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DW-12-12	文件：217.79 Kbytes Page：1 Pages	FLEXIBLE.025SQBOARDSTACKERS	SamtecSamtec, Inc 美国申泰	Samtec
EB12-12	文件：214.86 Kbytes Page：1 Pages	VRLARechargeableBattery	BB-BATTERYB. B. Battery Co., Ltd. 美美电池长沙镁镁科技有限公司	BB-BATTERY
EP12-12	文件：364.56 Kbytes Page：1 Pages	VRLARechargeableBattery	BB-BATTERYB. B. Battery Co., Ltd. 美美电池长沙镁镁科技有限公司	BB-BATTERY

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