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AS7C31026C

3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM

Functional description The AS7C31026C is a 3V high-performance CMOS 1,048,576-bit Static Random Access Memory (SRAM) device organized as 65,536 words × 16 bits. It is designed for memory applications where fast data access, low power, and simple interfacing are desired. Features • Industrial (-

文件:170.66 Kbytes 页数:10 Pages

ALSC

AS7C31026C-10BINTR

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

AllianceMemory

联盟记忆

AllianceMemory

AS7C31026C-12BIN

3.3 V 64K x 16 CMOS SRAM

AllianceMemory

联盟记忆

AllianceMemory

AS7C31026C-12JIN

3.3 V 64K x 16 CMOS SRAM

AllianceMemory

联盟记忆

AllianceMemory

AS7C31026C-10BINTR

Package:48-LFBGA;包装:托盘托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA

Alliance

AS7C31026C-12BIN

Package:48-LFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA

Alliance

AS7C31026C-12BINTR

Package:48-LFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA

Alliance

技术参数

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    1Mb (64K x 16)

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 访问时间:

    10ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    3 V ~ 3.6 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    48-LFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-BGA(7x7)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AS7C31026C供应商 更新时间2025-10-6 13:58:00