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AS6C2016-55ZIN 集成电路(IC)存储器 ALLIANCE
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原厂料号:AS6C2016-55ZIN品牌:ALLIANCE
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AS6C2016-55ZIN是集成电路(IC) > 存储器。制造商ALLIANCE/Alliance Memory, Inc.生产封装VQFN/44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)的AS6C2016-55ZIN存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
AS6C2016-55ZIN
- 制造商:
Alliance Memory, Inc.
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
2Mb(128K x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
55ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 5.5V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
44-TSOP II
- 描述:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
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