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AS5116B-HSOM	文件：1.35568 Mbytes Page：34 Pages	Marking：AS5116B；Package：SOIC8；On-Axis Magnetic Position Sensor with Analog Sine-Cosine Outputs Description TheAS5116isacontactlessmagneticpositionsensorforaccurateangularmeasurementoverafull mechanicalturnof360°. BasedontheHallsensortechnology,thisdevicehasarobustarchitecturethatmeasuresthe orthogonalcomponentofthefluxdensity(Bz),overafull-turnro	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
AS5116B-HSOT	文件：1.35568 Mbytes Page：34 Pages	On-AxisMagneticPositionSensorwithAnalogSine-CosineOutputs Description TheAS5116isacontactlessmagneticpositionsensorforaccurateangularmeasurementoverafull mechanicalturnof360°. BasedontheHallsensortechnology,thisdevicehasarobustarchitecturethatmeasuresthe orthogonalcomponentofthefluxdensity(Bz),overafull-turnro	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
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ASTM5116	文件：239.17 Kbytes Page：4 Pages	3M??ThermallyConductiveEpoxyAdhesiveTC-2707	3M 3M Electronics	3M
B5116	文件：98.92 Kbytes Page：8 Pages	SAWfilterRFBaseStation	EPCOSepcos 爱普科斯	EPCOS
B5116ECMDXGJD	文件：3.59565 Mbytes Page：2 Pages	KingstonDDR3/3LDRAMforembeddedapplications KEYFEATURES •DoubleDataRate(DDR)architecture:twodatatransfersperclockcycle •High-speeddatatransferisrealizedby8bitsprefetchpipelinedarchitecture •Bi-directionaldifferentialdatastrobe(DOSand/DQS)istransmitted/received withdataforcapturingdataatthereceiver	KINGSTONKingston Technology Far East Co. Ltd 金士顿金士顿科技	KINGSTON
B5116ECMDXGJDI	文件：425.79 Kbytes Page：2 Pages	Kingstoni-TempDDR3/3LDRAMforembeddedapplications KEYFEATURES •DoubleDataRatearchitecture:twodatatransfersperclockcycle •High-speeddatatransferisrealizedby8bitsprefetchpipelinedarchitecture •Bi-directionaldifferentialdatastrobe(DOSand/DQS)istransmitted/received withdataforcapturingdataatthereceiver •DOS	KINGSTONKingston Technology Far East Co. Ltd 金士顿金士顿科技	KINGSTON
BCP5116TA	文件：116.75 Kbytes Page：7 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>-45V,-60V&-80V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BCP5116TC	文件：116.75 Kbytes Page：7 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>-45V,-60V&-80V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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