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AS4C16M16D1-5BIN

Fully synchronous operation

文件:2.0265 Mbytes 页数:67 Pages

ALSC

AS4C16M16D1-5BIN

The 256Mb DDR AS4C16M16D1 SDRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM containing 256 Mbits.

AllianceMemory

联盟记忆

AllianceMemory

AS4C16M16D1-5BIN

Package:60-TFBGA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

Alliance

AS4C16M16D1-5BINTR

Package:60-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

Alliance

产品属性

  • 产品编号:

    AS4C16M16D1-5BIN

  • 制造商:

    Alliance Memory, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR

  • 存储容量:

    256Mb(16M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

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更多AS4C16M16D1-5BIN供应商 更新时间2025-10-13 8:24:00