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AS321KTR-E1	文件：407.87 Kbytes Page：10 Pages	Marking：E6T；Package：SOT25；LOW POWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER Features ExcellentPhaseMargin:60deg. LargeVoltageGain:100dB(Typical) LowInputBiasCurrent:20nA(Typical) LowInputOffsetVoltage:2mV(Typical) LowSupplyCurrent:0.35mAatVCC=5V WidePowerSupplyVoltage: SingleSupply:3Vto36V DualSupplies:±1.5Vto±18	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
AS321KTR-E1	文件：218.33 Kbytes Page：11 Pages	LOW POWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AS321KTR-E1	文件：688.01 Kbytes Page：11 Pages	LOW POWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER Battery Charger	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AZV321KTR-E1	文件：391.97 Kbytes Page：13 Pages	SINGLELOWVOLTAGERAIL-TO-RAILOUTPUTOPERATIONALAMPLIFIER Features Guaranteed2.7Vto5.5VPerformance NoCrossoverDistortion Gain-BandwidthProduct1MHz IndustrialTemperatureRange:-40ºCto+85ºC LowSupplyCurrent:130μA Rail-to-RailOutputSwingunder10kΩLoad: VOHuptoVCC-10mV VOLneartoVEE+65mV VCM:-0.1VtoVCC-0.8V	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
AZV321KTR-E1	文件：893.34 Kbytes Page：13 Pages	SINGLELOWVOLTAGERAIL-TO-RAILOUTPUTOPERATIONALAMPLIFIER	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AZV321KTR-E1	文件：331.09 Kbytes Page：13 Pages	SINGLELOWVOLTAGERAIL-TO-RAILOUTPUTOPERATIONALAMPLIFIER	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AZV321KTR-E1	文件：66.53 Kbytes Page：2 Pages	SINGLELOWVOLTAGERAIL-TO-RAILOUTPUTOPERATIONALAMPLIFIER	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI

详细参数

型号：
AS321KTR-E1
制造商：
BCDSEMI
制造商全称：
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
功能描述：
LOW POWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER

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