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AS28C010F-20SLASH883C	文件：306.46 Kbytes Page：14 Pages	128K x 8 EEPROM EEPROM Memory 5 Volt, Byte Alterable GENERALDESCRIPTION TheAustinSemiconductor,Inc.AS28C010isa1MegabitCMOSElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory(EEPROM)organizedas131,072x8bits.TheAS28C010iscapableofinsystemelectricalByteandPagereprogrammability. FEATURES •Accessspeed:120,150,200,a	AUSTIN Austin Semiconductor	AUSTIN

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AS28C010F-20SLASH883C

文件：306.46 Kbytes

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128K x 8 EEPROM EEPROM Memory 5 Volt, Byte Alterable

GENERALDESCRIPTION TheAustinSemiconductor,Inc.AS28C010isa1MegabitCMOSElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory(EEPROM)organizedas131,072x8bits.TheAS28C010iscapableofinsystemelectricalByteandPagereprogrammability. FEATURES •Accessspeed:120,150,200,a

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