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AS2003M

MOSFETs

Anbonsemi

安邦

ASI2003

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI 2003 is Designed for General Purpose Class C Power Amplifier Applications up to 2300 MHz. FEATURES: • PG = 10 dB min. at 3 W/ 2,000 MHz • Hermetic Microstrip Package • Omnigold™ Metalization System

文件:18.24 Kbytes 页数:1 Pages

ASI

ASI2003

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

文件:196.48 Kbytes 页数:3 Pages

ASI

AUIRS2003S

HALF-BRIDGE DRIVER

文件:338.91 Kbytes 页数:15 Pages

IRF

技术参数

  • VDSS(V):

    -20

  • ID(A):

    -3

  • VGS(th)Max(V):

    -1

  • PD(W):

    0.8

  • RDS(on)Max(mΩ)_4.5V:

    75

  • RDS(on)Max(mΩ)_2.5V:

    100

  • IDSS(Max)(µA):

    -1

  • Ciss(Typ)(µA):

    325

  • Package:

    SOT-23-6L

  • AutomotiveGrade:

    N

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更多AS2003M供应商 更新时间2026-4-17 15:08:00