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AR0521	文件：157.89 Kbytes Page：2 Pages	Image Sensor, CMOS, 1/2.5 文件：157.89 Kbytes 页数：2 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
AR0521P1	文件：1.87332 Mbytes Page：6 Pages	丝印：N；Package：DFN1006-2；1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode Features • Ultra small package: 1.0x0.6x0.5mm • Ultra low capacitance: 0.3pF typical • Ultra low leakage: nA level • Operating voltage: 5V • Low clamping voltage • AEC-Q101 qualified • Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±25kV Contact dis 文件：1.87332 Mbytes 页数：6 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
AR0521D3	文件：717.98 Kbytes Page：4 Pages	丝印：2X；Package：SOD-323；1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode 文件：717.98 Kbytes 页数：4 Pages	APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd. 应能江苏应能微电子股份有限公司	APMICRO
AR0521D5	文件：733.99 Kbytes Page：4 Pages	丝印：25；Package：SOD-523；1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode 文件：733.99 Kbytes 页数：4 Pages	APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd. 应能江苏应能微电子股份有限公司	APMICRO
AR0521P0	文件：516.559 Kbytes Page：4 Pages	丝印：ZZ；Package：DFN0603-2；1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode 文件：516.559 Kbytes 页数：4 Pages	APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd. 应能江苏应能微电子股份有限公司	APMICRO
AR0521P0L	文件：433.38 Kbytes Page：4 Pages	丝印：ZL；Package：DFN0603-2；1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode 文件：433.38 Kbytes 页数：4 Pages	APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd. 应能江苏应能微电子股份有限公司	APMICRO
AR0521P1	文件：583.29 Kbytes Page：6 Pages	丝印：21；Package：DFN1006-2；1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode 文件：583.29 Kbytes 页数：6 Pages	APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd. 应能江苏应能微电子股份有限公司	APMICRO
AR0521P1L	文件：461.37 Kbytes Page：4 Pages	丝印：2L；Package：DFN1006-2；1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode 文件：461.37 Kbytes 页数：4 Pages	APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd. 应能江苏应能微电子股份有限公司	APMICRO
AR0521P6	文件：693.33 Kbytes Page：4 Pages	丝印：26；Package：DFN1610-2；1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode 文件：693.33 Kbytes 页数：4 Pages	APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd. 应能江苏应能微电子股份有限公司	APMICRO
AR0521SR2C09SURA0-DP	文件：157.89 Kbytes Page：2 Pages	Image Sensor, CMOS, 1/2.5 文件：157.89 Kbytes 页数：2 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

UNI/BI：
Bi
Line Config：
1-Line
VRWM(V)：
5.0
VBR Min(V)：
6.5
Cj Typ(pF)：
0.3
Cj Max：
0.5
IPP Max(A)：
4.0
IR Max(μA)：
0.2
PPP(W)：
100
Package：
SOD-523

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	AR0521	APTINA	23+		5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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更多AR0521供应商更新时间2025-12-24 11:09:00

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