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AQZ204	文件：603.13 Kbytes Page：15 Pages	PhotoMOS HE 1 Form A High Capacity FEATURES GreatlyincreasedloadcurrentinacompactDIP package Continuousloadcurrent:3.5A(AQV251G) Greatlyimprovedspecificationsallowyoutousethis inplaceofmercuryandmechanicalrelays Lowon-resistance(Typ.35mΩ,AQV251G)	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AQZ204D	文件：88.09 Kbytes Page：5 Pages	POWER PhotoMOS RELAYS (Voltage Sensitive Type) POWERPhotoMOSRELAYS(VoltageSensitiveType) FEATURES 1.AvoltagesensitivepowerPhotoMOSrelay ConventionalpowerPhotoMOSrelaysareconnectedexternallytoaninputlimitingresistorinordertoobtaintheappropriateLEDcurrent.Addinganinternalconstant-currentelementrender	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQZ204D	文件：603.13 Kbytes Page：15 Pages	PhotoMOS HE 1 Form A High Capacity FEATURES GreatlyincreasedloadcurrentinacompactDIP package Continuousloadcurrent:3.5A(AQV251G) Greatlyimprovedspecificationsallowyoutousethis inplaceofmercuryandmechanicalrelays Lowon-resistance(Typ.35mΩ,AQV251G)	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AQZ204V	文件：80.4 Kbytes Page：4 Pages	POWER PhotoMOS RELAYS with Internal Varistor FEATURES 1.PowerPhotoMOSrelaywithinternalvaristor AninternalvaristorontheoutputsideprotectstheoutputMOSFETfromthereversevoltagefromanexternalvoltagesurgeorinductiveload. 2.HighcapacityPhotoMOSrelay Supportscontrolofminuteloadstoamaximum3.0A.Suitabl	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQZ205	文件：603.13 Kbytes Page：15 Pages	PhotoMOS HE 1 Form A High Capacity FEATURES GreatlyincreasedloadcurrentinacompactDIP package Continuousloadcurrent:3.5A(AQV251G) Greatlyimprovedspecificationsallowyoutousethis inplaceofmercuryandmechanicalrelays Lowon-resistance(Typ.35mΩ,AQV251G)	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AQZ205D	文件：88.09 Kbytes Page：5 Pages	POWER PhotoMOS RELAYS (Voltage Sensitive Type) POWERPhotoMOSRELAYS(VoltageSensitiveType) FEATURES 1.AvoltagesensitivepowerPhotoMOSrelay ConventionalpowerPhotoMOSrelaysareconnectedexternallytoaninputlimitingresistorinordertoobtaintheappropriateLEDcurrent.Addinganinternalconstant-currentelementrender	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQZ205D	文件：603.13 Kbytes Page：15 Pages	PhotoMOS HE 1 Form A High Capacity FEATURES GreatlyincreasedloadcurrentinacompactDIP package Continuousloadcurrent:3.5A(AQV251G) Greatlyimprovedspecificationsallowyoutousethis inplaceofmercuryandmechanicalrelays Lowon-resistance(Typ.35mΩ,AQV251G)	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AQZ205G	文件：603.13 Kbytes Page：15 Pages	PhotoMOS HE 1 Form A High Capacity FEATURES GreatlyincreasedloadcurrentinacompactDIP package Continuousloadcurrent:3.5A(AQV251G) Greatlyimprovedspecificationsallowyoutousethis inplaceofmercuryandmechanicalrelays Lowon-resistance(Typ.35mΩ,AQV251G)	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AQZ205V	文件：80.4 Kbytes Page：4 Pages	POWER PhotoMOS RELAYS with Internal Varistor FEATURES 1.PowerPhotoMOSrelaywithinternalvaristor AninternalvaristorontheoutputsideprotectstheoutputMOSFETfromthereversevoltagefromanexternalvoltagesurgeorinductiveload. 2.HighcapacityPhotoMOSrelay Supportscontrolofminuteloadstoamaximum3.0A.Suitabl	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQZ206G2	文件：603.13 Kbytes Page：15 Pages	PhotoMOS HE 1 Form A High Capacity FEATURES GreatlyincreasedloadcurrentinacompactDIP package Continuousloadcurrent:3.5A(AQV251G) Greatlyimprovedspecificationsallowyoutousethis inplaceofmercuryandmechanicalrelays Lowon-resistance(Typ.35mΩ,AQV251G)	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic

详细参数

型号：
AQZ20
功能描述：
固态继电器-PCB安装 3A 60V 4PIN SPST
RoHS：
否
制造商：
Omron Electronics
负载电压额定值：
40 V
负载电流额定值：
120 mA
触点形式：
1 Form A(SPST-NO)
输出设备：
MOSFET
封装/箱体：
USOP-4
安装风格：
SMD/SMT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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