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APTGT35A120D1	文件：189.32 Kbytes Page：3 Pages	Phase leg Trench IGBT Power Module 文件：189.32 Kbytes 页数：3 Pages	ADPOW	ADPOW
APTGT35A120D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Phase Leg - IGBT	APT 晶科电子	APT
APTGT35A120D1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1	Microchip 微芯科技	Microchip
APTGT35A120D1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：D1；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

技术参数

配置：
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）：
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
55A
功率 - 最大值：
205W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.1V @ 15V，35A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5mA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
2.5nF @ 25V
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
D1
供应商器件封装：
D1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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