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APTD1608SF4C

1.6 x 0.8 mm Infrared Emitting Diode

TO-GRACEHK TO-GRACE TECHNOLOGY CO.,LTD.

至恩科技香港至恩科技有限公司

APTD1608SF4C

Package:0603(1608 公制);包装:散装 类别:光电器件 LED 发射器 - 红外,紫外,可见光 描述:INFRARED EMITTING DIODE

KingbrightKingbright Company LLC

今台电子今台电子股份有限公司

AP1608SF4C

1.6x0.8mmINFRA-REDEMITTINGDIODE

Description F3MadewithGalliumArsenideInfraredEmittingdiodes. SF4MadewithGalliumAluminumArsenideInfraredEmittingdiodes. Features ●WATERCLEARLENSAVAILABLE. ●1.6mmX0.8mmSMTLED,1.1mmTHICKNESS. ●HIGHPOWEROUTPUT. ●PACKAGE:2000PCS/REEL.

KingbrightKingbright Company LLC

今台电子今台电子股份有限公司

APT1608SF4C

1.6x0.8mmINFRAREDEMITTINGDIODE

KingbrightKingbright Company LLC

今台电子今台电子股份有限公司

APT1608SF4C

1.6x0.8mmINFRAREDEMITTINGDIODE

Description SF4MadewithGalliumAluminumArsenideInfraredEmittingdiodes. Features ●1.6mmX0.8mmSMTLED,0.75mmTHICKNESS. ●MECHANICALLYANDSPECTRALLYMATCHEDTO PHOTOTRANSISTOR. ●WATERCLEARLENS. ●PACKAGE:2000PCS/REEL. ●MOISTURESENSITIVITYLEVEL:LEVEL3. ●RoHSCOMPL

KingbrightKingbright Company LLC

今台电子今台电子股份有限公司

APT1608SF4C-PRV

1.6x0.8mmInfraredEmittingDiode

DESCRIPTION ●SF4MadewithGalliumAluminumArsenideInfrared Emittingdiodes. FEATURES ●1.6mmx0.8mmSMDLED,0.75mmthickness ●Mechanicallyandspectrallymatchedto phototransistor ●Package:2000pcs/reel ●Moisturesensitivitylevel:3 ●RoHScompliant APPLICATIONS ●

TO-GRACEHK TO-GRACE TECHNOLOGY CO.,LTD.

至恩科技香港至恩科技有限公司

APT1608SF4C-PRV

Mechanicallyandspectrallymatchedtophototransistor

DESCRIPTION ●SF4MadewithGalliumAluminumArsenideInfrared Emittingdiodes FEATURES ●1.6mmx0.8mmSMDLED,0.75mmthickness ●Mechanicallyandspectrallymatchedto phototransistor ●Package:2000pcs/reel ●Moisturesensitivitylevel:3 ●Halogen-free ●RoHScompliant

KingbrightKingbright Company LLC

今台电子今台电子股份有限公司

KP-1608SF4C

NIFRAREDEMITTINGDIODES

INFRAREDEMITTINGDIODES

KingbrightKingbright Company LLC

今台电子今台电子股份有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    APTD1608SF4C

  • 制造商:

    Kingbright

  • 类别:

    光电器件 > LED 发射器 - 红外,紫外,可见光

  • 包装:

    散装

  • 类型:

    红外(IR)

  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):

    50mA

  • 不同 If 时最小辐射强度 (Ie):

    0.8mW/sr @ 20mA

  • 波长:

    880nm

  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):

    1.3V

  • 视角:

    120°

  • 方向:

    顶视图

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0603(1608 公制)

  • 描述:

    INFRARED EMITTING DIODE

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更多APTD1608SF4C供应商 更新时间2025-7-15 11:06:00