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APTC90H12T2G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2	Microchip 微芯科技	Microchip
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技术参数

FET 功能：
超级结
漏源电压（Vdss）：
900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
30A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
120 毫欧 @ 26A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
3.5V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
270nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
6800pF @ 100V
功率 - 最大值：
250W
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SP2
供应商器件封装：
SP2

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