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APT70GR65B2SCD30中文资料NPT IGBT & Trench IGBT数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
APT70GR65B2SCD30 |
| 参数属性 | APT70GR65B2SCD30 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| 功能描述 | NPT IGBT & Trench IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 11:16:00 |
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APT70GR65B2SCD30规格书详情
描述 Description
ROHS
技术参数
- 产品编号：
APT70GR65B2SCD30
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，70A
- 25°C 时 Td（开/关）值：
19ns/170ns
- 测试条件：
433V，70A，4.3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
T-MAX™ [B2]
- 描述：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
SOP16 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO-247 |
5000 |
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询价 | ||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | |||
MICROSEMI/美高森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
INFINEON |
24+ |
TO-247 |
8500 |
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询价 | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
TMAX? [B2] |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
TO-247 |
57000 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
20+ |
TO-247 |
2800 |
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询价 | ||
MICROSE |
30 |
询价 |
