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APT65GP60JDQ2数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

APT65GP60JDQ2

参数属性

APT65GP60JDQ2 封装/外壳为ISOTOP;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT 600V 130A 431W SOT227

功能描述

IGBT w/ anti-parallel diode
IGBT 600V 130A 431W SOT227

封装外壳

ISOTOP

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:00:00

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APT65GP60JDQ2规格书详情

描述 Description

ROHS

简介

APT65GP60JDQ2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的APT65GP60JDQ2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    APT65GP60JDQ2

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 系列:

    POWER MOS 7®

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    PT

  • 配置:

    单路

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,65A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    ISOTOP

  • 供应商器件封装:

    ISOTOP®

  • 描述:

    IGBT 600V 130A 431W SOT227

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