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AS6040-QF_DK_RB	文件：1.34859 Mbytes Page：16 Pages	DevelopmentKitUserGuide	SCIOSENSESciosense B.V. 睿感	SCIOSENSE
ATXN6040D	文件：85.17 Kbytes Page：2 Pages	Crystal	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
BD6040GUL	文件：210.71 Kbytes Page：2 Pages	ChargerProtectionICwithInternalFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BH6040FVM	文件：208.76 Kbytes Page：6 Pages	SwitchedCapacitorVoltageConverterforCellular	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
C6040A	文件：75.52 Kbytes Page：1 Pages	3SP227/30TCPEPVCComputerCable	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CBT-BGA-6040	文件：537.68 Kbytes Page：5 Pages	Highlycomplianttoaccommodatewideco-planarityvariations	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
CEB6040SL	文件：410.98 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 65V,116A,RDS(ON)=4.6mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.7mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED6040SL	文件：412.42 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 65V,89A,RDS(ON)=4.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.8mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP6040SL	文件：410.98 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 65V,116A,RDS(ON)=4.6mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.7mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU6040SL	文件：412.42 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 65V,89A,RDS(ON)=4.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.8mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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详细参数

型号：
APT6040BVFRG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	APT6040BVFRG	APTMICROSEMI	17+	TO-247B	31518	原装正品可含税交易	询价
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更多APT6040BVFRG供应商更新时间2025-7-26 10:02:00

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