| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
11年
留言
|
MicrosemiTO-264L |
6885 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
5年
留言
|
APTMICROSEMITO-247 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
|||
|
6年
留言
|
APTMICROSEMITO-247 |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
6年
留言
|
MICROSEMI-美高森美TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
15年
留言
|
APTMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
|
15年
留言
|
APTMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
|
15年
留言
|
APT原厂原封 |
8200 |
22+ |
原装现货库存.价格优势!! |
|||
|
13年
留言
|
APTTO-3PL |
8000 |
22+ |
|
原装正品支持实单 |
||
|
7年
留言
|
MicrosemiTO-264L |
100 |
1734 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
原厂模块 |
600 |
2023+ |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
||||
|
5年
留言
|
APTMICROSEMITO-264L |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
|||
|
14年
留言
|
APT模块 |
3562 |
26+ |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
|
13年
留言
|
APTTO-247 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
|
1年
留言
|
APTTO-247 |
12000 |
26+ |
原装，正品 |
|||
|
13年
留言
|
APT模块 |
3500 |
24+ |
原装现货,可开13%税票 |
|||
|
18年
留言
|
APT |
13 |
25+ |
公司优势库存 热卖中!! |
|||
|
9年
留言
|
APT模块 |
6430 |
24+ |
原装现货/欢迎来电咨询 |
|||
|
11年
留言
|
APTSMD |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
|
6年
留言
|
MicrosemiTO-264L |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
12年
留言
|
APTTO-247 |
5000 |
24+ |
全新原装正品,现货销售 |
APT50M80采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
APT50M80图片
APT50M80B2VFR中文资料Alldatasheet PDF
更多APT50M80制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT50M80B2LC制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT50M80B2VFR制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V
APT50M80B2VFR_03制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V
APT50M80B2VFRG功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
APT50M80B2VR制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 58A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
APT50M80B2VR_03制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V
APT50M80B2VRG功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
APT50M80JLC制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT50M80LLC制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
