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APT50M60L2VR	文件：160.17 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS V짰 MOSFET POWER MOS V® MOSFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. 文件：160.17 Kbytes 页数：5 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
APT50M60L2VR	文件：34.91 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • TO-2 文件：34.91 Kbytes 页数：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT50M60L2VR	文件：301.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current :ID= 77A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching 文件：301.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT50M60L2VR_04	文件：160.17 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS V짰 MOSFET POWER MOS V® MOSFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. 文件：160.17 Kbytes 页数：5 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
APT50M60L2VRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET	Microchip 微芯科技	Microchip

技术参数

package_carrier：
Tube
package_name：
TO-264 MAX (L2)
Breakdown Voltage (min)：
0
Breakdown Voltage (typ)：
0
Breakdown Voltage (max)：
500
Drain Current (dc) (min)：
0
Drain Current (dc) (typ)：
0
Drain Current (dc) (max)：
77

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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