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APT45GP120B2DQ2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
技术参数
- 产品编号:
APT45GP120B2DQ2G
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
POWER MOS 7®
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.9V @ 15V,45A
- 开关能量:
900µJ(开),905µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
18ns/100ns
- 测试条件:
600V,45A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3 变式
- 描述:
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi Corporation |
2022+ |
- |
38550 |
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23+ |
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APT |
25+ |
TO-247Max |
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Microch |
20+ |
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1215 |
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MICROSEMI |
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TO-247B |
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MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
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APT |
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MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
TO-247B |
14100 |
原装正品 |
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Microchip Technology |
25+ |
TO-247-3 变式 |
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