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APT4080BNR	文件：312.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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APT4080GN	文件：297.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C4080	文件：73.5 Kbytes Page：1 Pages	6C227/302C1816/30PVCPVCSound,Alarm&SecurityCable	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CA4080	文件：98.64 Kbytes Page：3 Pages	WirewoundResistors,CommercialPower,AxialLead FEATURES •Highperformanceforlowcost •Autoinsertable •CA0001,CA0002andCA5000modelsare suppliedwithahightemperaturesilicone coatingforadditionalenvironmentalprotection •Leadformingavailable •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleasesee www.visha	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DPB4080	文件：1.35042 Mbytes Page：20 Pages	100MHz,200MHzbandwidthmodels	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
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EGB4080FFG	文件：975.8 Kbytes Page：45 Pages	MouldedCaseCircuitBreakers16-2500AmperesforIEC60947-2Applications	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON

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